基本信息
| 标准名称： | 硅片氧沉淀特性的测定-间隙氧含量减少法 |
| 英文名称： | Oxygen precipitation characterization of silicon wafers by measurement of interstitial oxygen reduction |
| 中标分类： | 冶金 >> 金属理化性能试验方法 >> 金属无损检验方法 |
| ICS分类： | 电气工程 >> 绝缘流体 >> 绝缘流体综合 |
| 发布部门： | 中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局 中国国家标准化管理委员会 |
| 发布日期： | 2004-02-05 |
| 实施日期： | 2004-07-01 |
| 首发日期： | 2004-02-05 |
| 作废日期： | 1900-01-01 |
| 主管部门： | 国家标准化管理委员会 |
| 提出单位： | 中国有色金属工业协会 |
| 归口单位： | 全国半导体材料和设备标准化技术委员会 |
| 起草单位： | 洛阳单晶硅有限责任公司、中国有色金属工业标准计量质量研究所 |
| 起草人： | 蒋建国、屠妹英、贺东江、章云杰 |
| 出版社： | 中国标准出版社 |
| 出版日期： | 2004-07-01 |
| 页数： | 16开， 页数：5， 字数：9千辽 |
| 书号： | 155066.1-20772 |
适用范围
本标准规定了由测量硅片间隙氧含量的减少量来检验硅片氧沉淀特性的方法原理、取样规则、热处理程序、试验步骤、数据计算等内容。本标准用于定性比较两批或多批集成电路用硅片间隙氧沉淀特性。
前言
没有内容
目录
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引用标准
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所属分类： 冶金 金属理化性能试验方法 金属无损检验方法 电气工程 绝缘流体 绝缘流体综合